Spoločnosť Xiaomi sa pomaly pripravuje na predstavenie nového vlajkového smartfónu, ktorý ponesie označenie Mi 11. Má ísť o prvý smartfón, ktorý využije schopnosti výkonného 5 nm čipsetu Snapdragon 888.
Snapdragon 888 bol predstavený začiatkom decembra na podujatí Qualcomm Tech Summit.
Okrem vyššieho výpočtového výkonu ponúka aj výrazne lepší grafický výkon, komplexnejšie strojové učenie, spracovanie 2,7 gigapixelov obrazových dát len za jedinú sekundu alebo 3. generáciu 5G modemu Snapdragon X60.
„Som rád, že náš nový vlajkový smartfón Mi 11 bude jedným z prvých zariadení s čipsetom Snapdragon 888,“ uviedol krátko po predstavení novej výkonnostnej jednotky šéf Xiaomi Lei Jun.
Xiaomi Mi 11 sa bude nabíjať rýchlejšie v porovnaní s jeho predchádzajúcou generáciou Xiaomi Mi 10, ktorá podporuje 30 W nabíjanie. Xiaomi Mi 11 si osvojí až 55 W nabíjanie, rozdiel by teda mal byť citeľnejší. Skutočnosť potvrdzuje výpis z certifikačného procesu organizácie 3C.
Nabíjanie s výkonom 55 W sa bude týkať štandardnej, cenovo dostupnejšej verzie Xiaomi Mi 11. Vlaňajší Xiaomi Mi 10 s prívlastkom „Ultra“ sa popýšil rekordným 120 W nabíjaním. Testovanie tvorcov z Android Authority ale odhalilo, že nabíjanie v praxi nie je také rýchle ako výrobca deklaroval.
Xiaomi Mi 11 by mal okrem výkonného čipsetu, rýchleho nabíjania a kvalitných fotoaparátov ponúknuť aj OLED displej s 2K rozlíšením a 120 Hz obnovovacou frekvenciou. Displej by mal byť mierne zakrivený po všetkých štyroch stranách.
Zatiaľ nevieme, kedy presne výrobca svoju mobilnú novinku predstaví. Zrejme sa tak udeje už koncom decembra, poprípade začiatkom januára.