Menšie rozmery, viac výkonu a nižšia spotreba energie. Taká bude nová generácia čipsetov určených pre nadchádzajúce vlajkové mobilné zariadenia.
Lepšie vlastnosti sa výrobcom podarí dosiahnuť pomocou 5 nm výrobného procesu. Súčasné čipsety pre top-end smartfóny sú zväčšia vyrábané 7 nm technológiou. 5 nm čipy má v pláne produkovať aj Samsung, pričom by to nemalo trvať dlho.
Kroky k tomuto cieľu začal výrobca podnikať už vlani, kedy dokončil vývoj, a začiatkom tohto roka aj výrobné linky. Hromadná výroba 5 nm čipov má pritom začať už tento štvrťrok (Q2 2020).
Vyplýva to zo zverejnených hospodárskych výsledkov spoločnosti Samsung za prvý štvrťrok, uvádza sammobile.com.
Samsung pri výrobe 5nm čipov aplikuje technológiu EUV – Extreme Ultraviolet Lithography, ktorá využíva využíva ultrafialové svetlo o vlnovej dĺžke 13,5 nm. Analytici pôvodne predpokladali, že Samsung nespustí hromadnú výrobu skôr ako v 4. štvrťroku 2020.
Zdržanie mali spôsobiť problémy spôsobené pandémiou nového koronavírusu, no vyzerá to, že sa s nimi Samsung dokázal vysporiadať.
Prvé 5nm čipy by mohol Samsung vyrobiť pre spoločnosť Nvidia, ktorá má v pláne koncom roka predstaviť nové grafické karty založené na architektúre s kódovým označením Ampere.
Tie však budú pravdepodobne postavené na 7 nm technológii. Špekuluje sa však, že Nvidia prinesie na trh novú verziu mobilného čipsetu Tegra. Okrem Samsungu by sa mala na výrobe podieľať aj spoločnosť TSMC.
Neprehliadnite
TSMC je hlavným konkurentom Samsungu v oblasti výroby polovodičových súčiastok. Už v tejto chvíli by mala spoločnosť TSMC pracovať na výrobe 5 nm čipsetov Apple A14 pre nadchádzajúci rad smartfónov iPhone 12.
Samsung by mal 5 nm proces výroby logicky využiť pri produkcii vlastných čipsetov Exynos, ktoré poženú budúcoročné vlajkové lode, alebo možno už tohtoročný Galaxy Note 20. Okrem toho má pre Qualcomm vyrábať aj novú generáciu modemov Snapdragon X60.
Aby toho nebolo málo, Samsung tiež oznámil, že tento rok začne pracovať na 3 nm technológii s tranzistormi GAAFET, ktoré sú konštrukčne zložitejšie ako typ FinFET.
