Samsung okrem inteligentných mobilných telefónov a ďalšej spotrebnej elektroniky vyrába aj špičkové polovodičové komponenty. Ich predajmi dokonca predbehol známeho výrobcu čipov Intel a aktuálne sa pýši novými pamäťovými modulmi.
Samsung predstavil operačnú pamäť ako stvorenú pre budúcoročné vlajkové lode. 8 Gb LPDDR5 DRAM modul je vyrobený 10nm technológiou a zároveň je pripravený popasovať sa s 5G technológiou a čoraz rozširujúcou sa umelou inteligenciou.
V teoretickej rovine je nová pamäť rýchlejšia o 50 percent (oproti LPDDR4x), čo je bez okolkov impozantné. V číslach, operačná pamäť je schopná prenášať dáta rýchlosťou 6400 Mb/s. V súčasnosti používaný štandard LPDDR4X pracuje s teoretickým maximom na úrovni 4266 Mb/s.
8 Gb LPDDR5 DRAM modul má vlastne kapacitu 1 GB. Je na samotnom výrobcovi, koľko takýto modulov v zariadení použije. Je viac ako isté, že si budúcoročné vlajkové lode bežne potykajú s až 8 GB kapacitou. Prvým na rane by mal byť Samsung Galaxy S10. Očakávaný Galaxy Note 9 ešte ponúkne operačnú pamäť triedy LPDDR4X.
Takto výkonné komponenty zvyknú bývať, logicky, náročnejšie na spotrebu energie. Pri optimalizovanej prevádzke pri zníženom napätí (1,05V z 1,1V) síce dôjde aj k zníženiu prenosovej rýchlosti, no tá bude stále rýchlejšia (5500 Mb/s) ako súčasné riešenia.
Samsung má okrem nových operačných pamätí v talóne aj novú procesorovú sadu, ktorá bude tikať na pracovnej frekvencii vyššej ako doteraz neprekonaných 3 GHz. Prvé zariadenie s takýmto čipsetom spoznáme začiatkom budúceho roka.
Nový čipset aj LPDDR5 DRAM moduly sú spájané s vlajkovou loďou Samsung Galaxy S10. Ak nimi Samsung svoju budúcoročnú vlajkovú loď skutočne stihne vybaviť, pokojne sa môžeme pripraviť na novú úroveň mobilného výkonu.
